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    Si硅

    硅是具有符號Si和原子序數14的化學元素。四價準金屬,硅的反應性低于其化學類比碳。作為宇宙中第八個最常見的元素,硅偶爾作為純自由元素出現,但是作為各種形式的二氧化硅(二氧化硅)或硅酸鹽,分布在灰塵,飛機和行星中更廣泛。在地球上,硅是地殼中第二最豐富的元素(氧后),[1]占地殼的25.7%。

    硅有許多工業用途。元素硅是大多數半導體器件的主要部件,最重要的是集成電路或微芯片。硅被廣泛用于半導體,因為它在比半導體鍺更高的溫度下保持半導體,并且由于其天然氧化物容易在爐中生長并且形成比任何其它材料更好的半導體/電介質界面。

    以二氧化硅和硅酸鹽的形式,硅形成有用的玻璃,水泥和陶瓷。它也是有機硅的組成部分,是由硅,氧,碳和氫制成的各種合成塑料物質的類名,通常與硅本身混淆。

    硅是生物學的一個基本要素,雖然只有微小的痕跡似乎是動物需要的。更重要的是植物的代謝,特別是許多禾本科植物,硅酸(一種二氧化硅)形成了微觀硅藻的保護殼陣列的基礎。

    技術數據
    符號 Si 密度(20°C)/ gcm 3 2.336(?2.905
    原子數 14 熔點/℃ 1420
    天然存在的同位素數量 3 沸點/℃ -3280
    原子重量 28.0855(+/- 3) ΔH FUS / kJmol -1 50.6
    電子配置 [Ne] 3s 2 3p 2 ΔH VAP / kJmol -1 383
    IV(共價)/ pm 117.6 ΔHf (單原子氣體) / kJmol -1 454
    IV(離子,6坐標)/ pm 40 電離能 / kJmol -1 I 786.3
    電阻率(20°C)/μohmcm ?48 電離能 / kJmol -1 II 1576.5
    保寧電負性 1.8 電離能/ kJmol -1 III 3228.3
    帶隙E g / kJmol -1 106.8 電離能/ kJmol -1 IV
    蒸發技術
    溫度(? C)@Vap。壓力 技術 備注
    10 -8 10 -6 10 -4 電子束
    992 1147 1337 公平 鉭和玻璃狀石墨 - 鎢和鉭 鎢合金; 使用重型鎢舟。SiO 4產生高于4×10 -6乇。EB最佳
    硅(Si)
    電阻合金
    名稱 型號 元素名稱 電阻值
    μΩ/Cm/20°C
    導電率
    S/W
    密度
    g/cm3
    立承德-卡瑪 NEXTM KAMA NiCr20AlSi 132 0.76 8
    電熱合金
    型號 元素名稱 熔點
    °C 
    溫度公差 溫度范圍
    KP Ni,Si,Fe,Cr 1430 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 1260 標準公差
    KN Ni,Mn,Al,Si 1400 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 1260
    NP Ni,Si,Cr 1394 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 1260
    NN Ni,Si 1341 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 1260
    EP Ni,Si,Fe,Cr 1430 ±1.7°C or ±0.5% (t90) 0 to 870
    JP Fe,Mn,Si,Al,C 1496 ±2.2°C or ±0.75% (t90) 0 to 760
    KPX Ni,Si,Fe,Cr 1430 ±2.2°C 0 to 200
    KNX Ni,Mn, Al, Si 1400 ±2.2°C 0 to 200
    NPX Ni,Si,Cr 1394 ±2.2°C 0 to 200
    NNX Ni,Si 1341 ±2.2°C 0 to 200
    EPX Ni,Si,Fe,Cr 1430 ±1.7°C 0 to 200
    JPX Fe,Mn,Si,Al,C 1496 ±2.2°C 0 to 200
    KPCA Fe,Mn,Si,Al,C 1496 ±100μV(±2.5°C) 0 to 150 二級公差
    靶材
    材料名稱 元素名稱 原子序數 導熱性
    W/m.K
    理論密度
    g/cc
    Silicon_Si  Si 14 150 2.32
    蒸鍍材料
    材料名稱 元素名稱 原子序數  導熱性
    W/m.K
    理論密度
    g/cc
    Si硅P-type(片) Si 14 150 2.32


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